逆戰戰甲最多可以鑲嵌幾個芯片
- 2023-09-08 15:28
- 編輯:小灰灰
- 來源:手機玩
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逆戰手游開啟了保畢業答題活動,活動中有很多題目需要玩家們解答,其中很多小伙伴們不清楚逆戰戰甲最多可以鑲嵌幾個芯片?戰甲也可以給予我們最基礎的保護措施,下面小編整理了逆戰戰甲最多可以鑲嵌幾個芯片答案一覽,感興趣的小伙伴一起來看看吧。
逆戰戰甲最多可以鑲嵌幾個芯片答案一覽
答:逆戰戰甲可以鑲嵌六個芯片。
芯片系統目前是分四個等級:綠色的普通芯片,藍色的稀有芯片,紫色的史詩芯片,金色的傳說芯片;芯片也分三個大類:生存,效率,技能。 其中生存對應的是戰甲生命和護盾;效率對應的是戰甲的能量;技能就是對應的給技能增加效果的;三大分類每個分類各可以裝配2個芯片,共可以裝配6個芯片。
芯片分為四個品級:綠色的普通芯片,藍色的稀有芯片,紫色的史詩芯片,金色的傳說芯片;每個等級各有20種不同的芯片,芯片里有不同的詞條,每個芯片名稱對應的一個系列詞條,詞條數值完全隨機。
芯片每個等級都是一樣的名稱,詞條都是一致的,只是詞條的數值不同,下面我會列舉出現有的芯片名稱和詞條:
【生存】
剛強體魄:增加生命上限;更為先進的材料強化,極大的提升了破空系列戰甲生存能力。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
充沛生機:增加戰甲血量自動回復效率;部分外骨骼替換為了試做體納米機器人,簡單的創傷無需關注即可自行修復。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
靈巧防護:減少護盾冷卻;提升護盾發生器的功率,雖然不能提升護盾的防護效果,但是被擊破后能夠更快的恢復到無損水平。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
量子護盾:增加護盾上限;能夠自愈的量子護盾,強化型的護盾在戰場上所向披靡。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
【效率】
再填充:減少未乘坐或強制退出裝甲狀態時能量開始回復所需時間;冷卻系統邏輯優化,解除武裝后可更快回復能源儲備。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
聚能核心:增加能量上限;結構強化的聚變核心,功率更為強大,在穩定的基礎上,極大的提升了戰甲的活動能力。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
極速充能:增加戰甲能量回復速度;增加額外的能源核心,長久續航,專業品質!深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
疾速武裝:減少變身能量損耗;更新的戰甲操作系統,加速掃描使用者的身體數據,無須過高的能源儲備即可快速化身裝甲戰士。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
活力之源:減少戰甲基礎行為能量消耗(跑走蹲);優化輸出組件,鏈路調整,更新的操作系統降低了戰甲基礎行動的能量消耗。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
【技能】
爆發推進-靈巧噴射:減少二段跳技能消耗的能量;全新的噴氣組件,系統效率大幅提升。起跳后的噴射能耗獲得大幅降低。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
爆發推進-強能噴射:增加二段跳技能噴射高度;強化的噴氣結構,能夠承受更高的功率及熱量,可以提升噴射高度。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
原力沖墜-動能壓迫:增加砸地技能眩暈時間;增加額外的震蕩發生器,落地時可產生額外震爆,大幅提升原力沖墜眩暈能力。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
原力沖墜-蓄力爆能:提升砸地技能擊退距離;提升爆發氣體噴射密度,落地時可產生額外氣流沖擊,大幅提升原力沖墜擊退能力。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
原力沖墜-聚變:提升砸地技能墜擊范圍;增加額外的聚變發生裝置,落地時可引發額外的爆炸沖擊,大幅提升原力沖墜影響范圍。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
原力沖墜-遠程打擊:提升砸地技能落點距離;提升噴射器的可調范圍角度,原力沖墜的打擊落點距離提升。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
原力沖墜-身輕如燕:減少技能墜地能量損耗;墜地噴射改為多段式發射,大幅降低了原力沖墜的能量消耗。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
重力反轉-鈦金裝甲:減少技能滯空待機能量損耗;主要戰甲部件均替換為低密度金零件極大的降低了戰甲重量,降低重力反轉待機能量消耗。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
重力反轉-原子動能:減少技能滯空移動能量損耗;額外強化的動能輸出組件,能以更低的能耗實現自由飛行。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
重力反轉-高能噴射:增加技能飛行移動速度;輕量化外骨骼以及更高強度的核心組件大幅提升重力反轉輸出功率,提升空中運動靈活性。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
重力反轉-強能引擎:增加技能滯空最高高度限制;針對性的強化重力反轉輸出功率,允許戰甲升至更高的空中,火力打擊傾瀉。深淵模式中芯片效果將會得到額外提升。
以上就是逆戰戰甲最多可以鑲嵌幾個芯片答案一覽的全部內容,感興趣的玩家可以參考本篇攻略。后續想要了解更多相關攻略的小伙伴可以關注手機玩,每天都會推送最新的游戲資訊。